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共价金刚石-石墨材料集合了金刚石和石墨的性质优势,能够实现超硬、极韧、导电等优越性能组合,在超硬和电子器件领域具有研究和发展价值。目前,由于金刚石-石墨共价界面能高,主要通过高温高压方法活化碳原子以实现该材料的构筑。等离子体化学气相沉积(CVD)是金刚石面向功能应用的主要发展方向。借助CVD技术构筑共价金刚石-石墨材料,探索金刚石和石墨两相界面的新奇物性受到研究人员的关注。
本发明涉及一种等离子体辅助磁控溅射沉积镀膜技术。利用磁控溅射制备金属化合物薄膜时,为了克服靶中毒、阳极消失等现象,一般采用中频或脉冲直流反应磁控溅射方法。本发明提出一种新型的等离子体辅助沉积方法,通过在真空室内增加一等离子体放电区,工件架在随公转盘公转的同时高速自转,工件转过此等离子体放电区时,反应未完全的超薄层薄膜进一步与气体离子进行化和反应,从而得到更高化学计量比的化合物薄膜,大大提高了薄膜的...
近日,等离子体所EAST团队科研人员在研究托卡马克装置不同加热方式下的偏滤器热沉积宽度方面取得进展,相关研究成果由博士研究生邓国忠以“Experimental study of heating scheme effect on the inner divertor power footprint widths in EAST lower single null discharges”为题在Plas...
It is our great pleasure to announce that the 14th International Conference on Plasma Based Ion Implantation & Deposition, PBII&D 2017 will be held at the banqueting hall on the third floor of New Wo...
中国科学院近代物理研究所(IMP)研究人员与法国国家大实验室GANIL-CIMAP以及奥地利维也纳技术大学(TU Wien)的同行合作,首次揭示了重离子动能和势能沉积的协同作用机制。
石墨烯由于其优异的物理化学性能在众多领域中得到广泛应用,这使得作为制备石墨烯重要原料的氧化石墨烯需求量大增。随着大量氧化石墨烯的生产和使用,在生产、运输、使用和处置的过程中具有生物毒性的氧化石墨烯不可避免的会进入环境中,从而威胁人类的健康和生态系统的安全。一旦氧化石墨烯进入环境中,氧化石墨烯与环境介质的相互作用将影响氧化石墨烯在环境中的迁移,进而影响其生物可利用性。因此全面考察环境介质对氧化石墨烯...
采用蒙特卡罗方法,对以CH4/H2为源料气体的电子助进化学气相沉积(EACVD)金刚石中的氢原子(Hα,Hβ和Hγ)、碳原子C(2p3s→2p2: λ=165.7 nm)以及CH(A2Δ→X2Π: λ=420~440 nm)的发射过程进行了模拟,研究了衬底温度对各发射谱线以及金刚石膜合成的影响。结果得知,各谱线强度随衬底温度的变化幅度很小,且在衬底表面附近的谱线强度随衬底温度的变化幅度相对于远离衬...
采用蒙特卡罗方法,对以CH4/H2为源料气体的电子助进化学气相沉积(EACVD)金刚石中的氢原子(Hα, Hβ, Hγ)、碳原子C(2p3s2p2∶λ=165.7 nm)以及CH(A2Δ→X2Π∶λ=420~440 nm)的光发射过程进行了模拟,气体温度随空间的变化采用温度梯度变化,研究了不同反应室气压及衬底温度下的光发射谱特性。结果表明,不同衬底温度下各谱线强度均随气压的增大先增大后减小; 当气...
采用蒙特卡罗方法,对以CH4/H2为源料气体的电子助进化学气相沉积(EACVD)金刚石中的氢原子(Hα,Hβ,Hγ)、碳原子C(2p3s→2p2:λ=165.7 nm)以及CH(A2Δ→X2Π:λ=420~440 nm)的发射过程进行了模拟,研究了不同CH4浓度下各发射谱线的空间分布。结果表明,不同CH4浓度下各发射谱线在反应空间的大部分区域内均随距灯丝距离的增大而增大,而当到达基片表面附近时有所...
利用T.A.Mehlhorn理论模型[2]计算和分析了锂离子在金靶中及a 粒子在氘氚靶中的能量沉积过程,考察了温度对射程的影响,给出了离子射程的拟合公式。
用3维粒子模拟程序LARED-P研究了束-等离子体不稳定性, 不稳定性激发的强电磁场使电子束在非常短的距离内沉积能量。对于10 MeV的单能电子束,束电子数目占总电子数目5%的情况下,最终约损失14%的束能量。推导了等离子体的色散关系,得出了增长率。
测量了End-Hall离子源在不同条件下的离子束流密度,在不同离子束流密度下进行了Ar离子辅助沉积ZrO2薄膜的实验,研究了离子束流密度对薄膜折射率、晶相的影响.根据动量传递模型分析了离子束流密度对薄膜折射率的作用;根据热尖峰理论证明了一定条件下离子束流密度不会影响薄膜晶体结构.
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,以N2和SiH4作为反应气体,在P型硅基片上进行SiNx薄膜的沉积.使用椭偏仪对薄膜厚度和光学常量进行了测量, 用傅里叶变换红外光谱仪对SiNx薄膜的化学键合结构进行了分析.研究了基片温度、射频功率以及N2和SiH4的气体流量比率等实验工艺参量对薄膜沉积速率和光学常量的影响.结果表明,射频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的SiNx薄膜是低含氢量的SiNx薄膜,...
期刊信息 篇名 高精度热电离质谱(TIMS)铀系法洞穴沉积物(石笋)年龄的研究 语种 中文 撰写或编译 作者 王兆荣 第一作者单位 刊物名称 沉积学报 页面 2000,18(1) 出版日期 2000年 月 日 文章标识(ISSN) 相关项目 洞穴碳酸钙高精度热电离质谱铀系年代学和古气变化

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