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中国科学院大连化学物理研究所专利：一种等离子体辅助磁控溅射沉积方法
中国科学院大连化学物理研究所 专利 等离子体 磁控溅射 沉积方法
2023/12/29
本发明涉及一种等离子体辅助磁控溅射沉积镀膜技术。利用磁控溅射制备金属化合物薄膜时，为了克服靶中毒、阳极消失等现象，一般采用中频或脉冲直流反应磁控溅射方法。本发明提出一种新型的等离子体辅助沉积方法，通过在真空室内增加一等离子体放电区，工件架在随公转盘公转的同时高速自转，工件转过此等离子体放电区时，反应未完全的超薄层薄膜进一步与气体离子进行化和反应，从而得到更高化学计量比的化合物薄膜，大大提高了薄膜的...
中国科学院金属研究所专利：一种改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置
中国科学院金属研究所 专利 电弧离子镀 沉积工艺 动态磁控弧源
2023/12/25
本实用新型涉及薄膜制备领域,具体地说是一种新型的改善电弧离子镀沉积 工艺的动态磁控弧源装置。所述改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置设 有动态控制磁场发生装置、靶材、靶材底座,靶材安装于靶材底座上,动态控制 磁场发生装置为主控磁场发生装置和辅助磁场发生装置构成,主控磁场发生装置 放置于靶材后面,和靶材同轴放置,辅助磁场发生装置套在主控磁场发生装置周 围。本实用新型通过两组磁场发生装置配合使用,...
中国科学院大连化学物理研究所专利：一种磁控溅射装置及其应用
中国科学院大连化学物理研究所 专利 磁控溅射
2023/12/20
一种磁控溅射装置及其应用，能够使管型或圆柱状基底在轴向上连续旋转，轴向转速与基底温度可调可控，且在加热的条件下能够保持基底温度均匀一致，能够在管型及圆柱状基底上沉积制备出均匀的固体薄膜，扩展了磁控溅射方法的使用范围。
中国科学院金属研究所专利：一种磁控电弧离子镀复合沉积工艺和沉积装置
中国科学院金属研究所 专利 磁控 电弧离子镀 复合沉积工艺 沉积装置
2023/8/21
中国科学院金属研究所专利：一种磁控电弧离子镀复合沉积工艺和沉积装置
中国科学院金属研究所专利：磁控熔炼非自耗电极电弧炉
中国科学院金属研究所 专利 磁控 熔炼 非自耗电极 电弧炉
2023/8/19
一种磁控熔炼非自耗电极电弧炉,它在现有的由可旋转的水冷铜坩埚盘、水冷电极等部件构成的非自耗电极电弧炉的基础上,另安有一个场强可调节的磁体,通过调节该磁体的磁场大小,使电弧受到不同程度的约束和聚焦。从而使熔炼过程中高熔点金属和低熔点金属都受到充分地加热和搅拌,一次起弧熔炼便可得到成分均匀的合金铸锭。本实用新型所提供的电弧熔炼炉显著地提高了工作效率并相应地降低了能耗。
作为一种超宽禁带半导体材料，AlN因具有击穿场强高、耐高温高压性能好、压电性能优异等特点而受到了研究者们的广泛关注。AlN在各种光电、电子电力器件和声波滤波器中均存在相关应用，考虑到现阶段单晶AlN衬底生长技术还不成熟，AlN薄膜主要依赖异质外延技术进行制备。目前，在各种外延技术中，金属有机化学气相沉积（MOCVD）被认为是外延AlN最为广泛使用的技术之一，但始终面临着生长周期较长、成本较高，以及...
由于其优越的波谱性能，太赫兹（1011~1013Hz）相关技术在通讯、安检、传感、国家安全等领域有着广泛的应用前景，被称为“改变未来世界的十大技术之一”。其广泛的工程应用依赖于多样的太赫兹元器件。相对于成熟的微波与光学技术，太赫兹源、太赫兹调制器、太赫兹探测器等太赫兹核心元器件的开发方兴未艾。
中国科学院近代物理研究所在磁控纳米单通道的制备和功能化研究方面取得新进展（图）
磁控纳米单通道 磁场 金属离子
2020/6/23
近日，近代物理所研究人员利用高能微束装置的单离子辐照和径迹蚀刻技术成功制备了一种快速响应的磁控纳米单通道。在该项工作中，研究团队利用酰胺化合的方式在PET单锥形纳米孔道上依次修饰了DNA单链和纳米磁性颗粒，在纳米孔内形成了一层链球结构。当磁场强度为220 mT的永磁体被放置于纳米孔道大/小孔端处时，纳米孔道会在亚秒量级的时间内转变为开通/闭合状态，其中开关比达到了18.4。该项研究首次展示了一种通...
基于动态阻抗模型的磁控式持续电流开关
高温超导闭合线圈 磁控式持续电流开关 动态阻抗 改善励磁
2022/3/31
本文研究了高温超导闭合线圈的重要励磁方式———持续电流开关（persistentcurrentswitch）。高温超导闭合线圈在各种场合中被广泛地应用和研究。为了使高温超导线圈能够工作在持续电流模式（persistentcurrentmode）下，需要持续电流开关利用超导体在超导状态和电阻状态之间的转换来实现开关状态的切换，而磁控式持续电流开关具有响应速度快、励磁效率较高等优点，因而在闭合超导线圈...
采用磁控溅射法和原位退火工艺在钠钙玻璃衬底上制备Mg2Si薄膜。首先在钠钙玻璃衬底上交替溅射沉积两层Si、Mg薄膜，冷却至室温后原位退火4h，制备出一系列Mg2Si薄膜样品。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对所得薄膜样品的晶体结构和表面形貌进行表征，讨论了退火温度和溅射Si/Mg/Si/Mg时间对制备Mg2Si薄膜的影响。结果表明，采用磁控溅射法在钠钙玻璃衬底上交替溅射两层Si...
中国科学院宁波工业技术研究院在磁控电子结构领域取得新进展（图）
中国科学院 宁波工业技术研究院 磁控电子结构 新进展
2018/6/20
施加外磁场可以调控磁性材料的电极化、光偏振、温度、几何形状等宏观物性，即实现磁电、磁光、磁热、磁弹等效应。这些效应是构成磁性功能器件如磁探测仪、磁光克尔仪、磁制冷机等的物理基础。考虑到材料的宏观物性与微观电子结构存在密切关系，最直观的想法是通过磁场直接调控电子能带结构，从而改变材料的电学及光学等特性。在外磁场的作用下，原本简并的电子自旋态会产生塞曼能级劈裂。然而这是一个微小的能量量级，如1特斯拉的...
中国科学院新疆理化技术研究所材料物理与化学研究室常爱民研究团队致力于薄膜型NTC热敏电阻材料及元器件的研发。先后采用激光分子束外延技术、激光脉冲沉积技术、化学溶液沉积技术制备出了具有良好择优取向的NTC热敏电阻薄膜。为了进一步实现薄膜材料的器件化，该团队科研人员在比较了各种薄膜制备技术的优劣后，选择磁控溅射法制备具有稳定负温度系数热敏特性的薄膜材料。