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中国科学院半导体研究所在CorningEAGLEXG的薄型玻璃衬底上沉积了具有理想配比的高透明导电纳米晶体氧化锡涂层。每种涂层都通过超声波喷雾热解（USP）技术将不同浓度的气溶胶溶液沉积在衬底上，衬底温度保持在623.15K。氮气除了被用作气溶胶导向气体外，还用作溶液载体，其流速分别保持在3500.0mL/min和500.0mL/min。氧化锡涂层为多晶，无论喷雾溶液的摩尔浓度如何，涂层最易沿氧化...
外电场下含有缔合缺陷的ZnO/β-Bi2O3界面电学性能
ZnO压敏电阻 缺陷 微观特性 内建电场
2022/3/24
电力设备的安全运行很大程度上取决于避雷器的过电压保护水平,ZnO压敏电阻因具有优异的非线性伏安特性而广泛应用于电力系统避雷器的核心元件.为了从微观结构上了解ZnO压敏电阻的电学性能,本文采用基于密度泛函理论的第一性原理对含有锌填隙Zni与氧空位Vo缺陷的ZnO/β-Bi2O3界面进行分析计算,并研究其在不同外电场下的相关电学性质.计算结果表明,弛豫后氧空位Vo缺陷发生迁移.在外电场的作用下,填隙Z...
近期，中科院合肥研究院固体所张永胜研究员课题组在提升有序Double Half-Heusler (DHH) 热电性能研究方面取得新进展，相关研究不但为后续实验提供了新的研究体系，也为提升半休氏勒合金（Half-Heusler，HH）的热电性能提供了新思路。相关研究结果发表在Journal of Materials Chemistry A 上。
石墨烯作为一种纳米级的新型二维材料，在电学方面能够实现亚微米级的弹道输运及较高的载流子本征迁移率，有望成为新一代电子元器件的基材。然而目前重离子辐照对石墨烯基器件电学性能影响的研究工作较缺乏，辐照影响机理仍不清楚。中国科学院近代物理研究所研究人员依托兰州重离子加速器开展了快重离子辐照石墨烯晶体管引起电学性能改变的研究，取得新进展。
石墨烯作为一种纳米级的新型二维材料，在电学方面能够实现亚微米级的弹道输运及较高的载流子本征迁移率，有望成为新一代电子元器件的基材。然而目前重离子辐照对石墨烯基器件电学性能影响的研究工作较缺乏，辐照影响机理仍不清楚。中科院近代物理所研究人员依托兰州重离子加速器开展了快重离子辐照石墨烯晶体管引起电学性能改变的研究，取得了重要进展。
华中科技大学土木学院胡元太团队揭示机械加载对压电PN结电学性能调控规律（图）
华中科技大学土木学院 胡元太 机械加载 压电 PN结 电学性能
2018/8/24
2018年8月16号，材料科学及物理学领域的顶级期刊Nano Energy（IF：13.12）在线刊发了土木学院胡元太教授课题组的最新研究成果“Adjustment and control on the fundamental characteristics of a piezoelectric PN junction by mechanical-loading（Nano Energy, Vol....
金原子可提升二硫化钼的电学性能
金原子 提升 二硫化钼 电学性能
2013/9/9
据物理学家组织网9月5日报道，美国科学家发现，使用金原子对三个原子厚的二硫化钼(MoS2)进行操控，可以显著提升二硫化钼的电学属性。最新研究有助于科学家们研制出高性能的超薄电子设备和等离子体设备。研究发表在最新一期的《纳米快报》杂志上。
高温退火对物理提纯多晶硅位错密度及其电学性能的影响
物理提纯多晶硅 高温退火 位错密度 少子寿命
2013/9/5
对纯度约为99.999%的物理提纯多晶硅片进行不同高温退火工艺热处理, 经机械抛光和表面刻蚀后再用扫描电子显微镜(SEM)观察硅片内部位错密度变化情况, 并通过WT2000少子寿命测试仪和双电四探针测试仪测试其少子寿命和电阻率变化情况. 结果表明, 在1100~1400℃之间退火6 h的情况下, 随着退火温度的升高, 物理提纯多晶硅片内部位错密度逐渐减小甚至消失, 然而硅片少子寿命和电阻率等电学性...
改性剂Sb对BaTiO3基PTCR 陶瓷电学性能的影响
改性剂 BaTi03基PTCR陶瓷z钠米晶粉 溶胶一凝胶一步法
2009/10/29
以溶胶凝胶一步法合成了含有改性荆Sb的BaTiO3基正温度系数电阻(positive temperature coefficient of resistivity，PTCR)陶瓷，着重讨论了改性剂sb掺杂量的变化对PTCR 陶瓷电学
性能的影响。结果表明，随改性剂含量的增加，材料的室温电阻率(P)、电阻温度系数(а)、耐电压强度(VB.max)均呈现“W”形变化。
晶体面缺陷对FeS2薄膜电学性能的影响
2007/7/28
期刊信息
篇名
晶体面缺陷对FeS2薄膜电学性能的影响
语种
中文
撰写或编译
撰写
作者
井源源,刘艳辉,孟亮
第一作者单位
浙江大学
刊物名称
材料研究学报
页面
接受发表
出版日期
年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
Fe膜合成FeS2薄膜结晶过程中织构的诱导及其作用
高阻碲锌镉单晶体的电学性能
2007/7/28
期刊信息
篇名
高阻碲锌镉单晶体的电学性能
语种
中文
撰写或编译
撰写
作者
蔡力,朱世富,赵北君,高德友,李含冬等
第一作者单位
四川大学
刊物名称
云南大学学报
页面
2002, 24(5A):33-35.
出版日期
2002年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
碲锌镉单晶体的生长与应用基础研究