搜索结果: 1-3 共查到“物理学 高K栅介质”相关记录3条 . 查询时间(0.142 秒)
新型高K栅介质双沟道GaN基MOS-HEMT器件的栅极介质沉积工艺与电流坍塌效应的研究。
2023年3月22日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授课题组在《自然》（Nature）期刊上发表题为“2D fin field-effect transistors integrated with epitaxial high-κ gate oxide”的研究论文。
Y 掺杂Al2O3高k栅介质薄膜的制备及性能研究
2007/7/28
专著信息
书名
Y 掺杂Al2O3高k栅介质薄膜的制备及性能研究
语种
中文
撰写或编译
作者
郭得峰,耿为刚,兰伟,黄春明,王印月
第一作者单位
出版社
物理学报 54（12）371-376（2005）
出版地
出版日期
2005年
月
日
标准书号
介质类型
页数
字数
开本
相关项目
超低介电常数纳米多孔薄膜材料的制备和特性研究