搜索结果: 1-15 共查到“物理学 氧化物”相关记录32条 . 查询时间(0.144 秒)
中国科学技术大学等在氧化物电子学领域取得进展（图）
氧化物 电子学 中国科学技术大学
2024/2/1
中国科学技术大学教授吴文彬和王凌飞团队联合西北大学教授司良团队，制备了广谱高效的新型超四方相水溶性牺牲层材料Sr4Al2O7，可用于制备多种高质量自支撑氧化物薄膜。2024年1月26日，相关研究成果以研究长文形式，以Super-tetragonal Sr4Al2O7?as a sacrificial layer for high-integrity freestanding oxide membr...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：互补金属氧化物半导体图像传感器单粒子效应试验图像在线采集方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 金属氧化物 半导体 图像传感器 单粒子效应 图像在线采集
2024/1/5
本发明涉及一种互补金属氧化物半导体图像传感器单粒子效应试验图像在线采集方法，该方法中涉及的远距离传输的图像转接装置是由测试板、第一Camerlink数据线、同轴发送盒、同轴穿罐电缆、同轴接收盒、第二Camerlink数据线、光纤发送端、光纤电缆、光纤接收端和图像采集计算机组成，通过设置图像采集软件的频率和图像模式使其满足互补金属氧化物半导体图像传感器要求，再设置图像传感器成像的增益、积分时间和帧率...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种制备碱土金属铁钼氧化物磁性材料的方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利：P型铜铁矿结构透明导电氧化物薄膜的制备方法
无限层和双层镍氧化物超导研究进展（图）
无限层 双层镍氧化物 超导
2024/1/9
在重费米子、铜氧化物、铁基等非常规超导体中，电子通过相对运动克服库仑排斥，诱导自身配对产生超导电性，是目前已知的实现常压高温超导的唯一途径。因此，建立不同于常规电-声耦合配对机制的非常规超导理论，是探索常压下高温甚至室温超导的必然要求。
中国科学院合肥物质科学研究院专利：掺杂ⅡA族稀土氧化物发光材料及其熔体法生长方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利：稀土或Bi、Cr、Ti掺杂IIA族稀土氧化物发光材料及其制备方法
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 稀土 Bi、Cr、Ti掺杂 IIA族稀土氧化物 发光材料
2023/11/11
中国科学院合肥物质科学研究院专利：稀土或Bi、Cr、Ti掺杂IIA族稀土氧化物发光材料及其制备方法
中国科学院物理研究所揭示三层铜氧化物超导体高临界温度的电子结构起源（图）
三层铜氧化物 超导体 高临界温度 电子结构起源
2023/10/16
自1986年铜氧化物高温超导体发现以来，探讨高温超导机理和进一步提高超导转变温度是凝聚态物理研究的核心问题。铜氧化物高温超导体的母体是反铁磁Mott绝缘体。高温超导电性是通过向母体掺入适量的载流子得以实现。有研究表明，超导转变温度TC不仅取决于铜氧面CuO2的掺杂浓度，而且依赖于晶胞中CuO2面的层数（n），且在三层体系（n=3）中超导转变温度TC最高。此外，三层铜氧化物超导体表现出不寻常的相图，...
本发明涉及燃料电池催化剂载体，具体地说是一种高稳定型炭凝胶载体在燃料电池中的应用；所述催化剂的前躯体组分为间苯二酚，甲醛，有机配体，可溶性金属无机盐的混合物。间苯二酚与甲醛摩尔比为1:5～5:1，间苯二酚与金属有机化合物（以纯金属量计算）的摩尔比为5:1～1500:1，可溶性金属无机盐和有机配体的摩尔比20：1～1:20，可溶性金属无机盐可包括其中一种，或者两种或者两种以上的混合物。混合有机凝胶经...
中国科学院金属研究所专利：超导氧化物长导体的制造方法
中国科学院金属研究所 专利 超导氧化物 长导体
2023/8/19
本发明提供了一种超导A＋B＋Cu氧化物长导体的制造方法,其特征在于将氧化物研磨、混合和预烧结后使之生成超导相粉末,再进行包套加工,最后经过热处理制成超导长带和长线。采用本发明所提供的制造方法,使传统的不能进行压延、轧制和拉拔的脆性陶瓷材料,能够同包覆它的载体金属和合金一起按金属加工工艺进行加工,从而得到可供强电工程应用的超导长带和长线,为超导电技术的推广应用开辟了广阔的前景。
中国科学院金属研究所专利：氧化物超导体之间的连接方法
中国科学院金属研究所 专利 氧化物 超导体 连接方法
2023/8/19
一种氧化物超导体之间的连接方法,本发明特征主要是超导体表面机械磨平后涂上或不涂焊料,将超导体零件(板、棒、线材等)用夹具夹好,并施加一定的压力然后以一定速度加温,一定时间保温,最后以一定速度降至室温,其优点是保证接头具有超导性能以及工艺简单,成本低廉,这为超导技术在实际工程应用中开辟了广阔的前景。
中国科学院金属研究所专利：超导体氧化物与金属导体直接连接的方法
中国科学院金属研究所 专利 超导体氧化物 金属导体 直接连接
2023/8/19
氧化物超导体与金属导体直接连接的方法。本发明的特征在于将焊料涂在金属接头处,然后将涂有焊料金属接头放在超导体待接表面处,加热到钎焊温度,施加钎剂、冷却后除去多余焊剂,本发明之优点：此种软钎焊结合牢固,电学性能好,能经受多次液氮一室温一液氮的热冲击以及通过强电流试验,接头处均不发生明显热效应。
中国科学院理化技术研究所专利：高精度纳米级氧化物晶体台阶标准样品的制备方法
中国科学院物理研究所专利：调控钙钛矿相钴氧化物材料的氧空位序相的方法
由于跟非晶硅面板制程兼容，非晶氧化物InGaZnO（IGZO）自从在实验室被发现后，很快进入了显示驱动工业应用，如AMLCD、AMOLED、LTPO面板驱动。以IGZO为代表的非晶氧化物薄膜晶体管（TFT）在较高的迁移率（10 cm2/Vs 左右）、低温大面积制程（可至G8面板以上）、低的关态电流（约比低温多晶硅TFT低1000倍）等方面具有独特优势。然而，伴随着显示技术的快速发展，现有显示驱动无...